三年前ASML曾断言，中国将自产光刻机，如今三年到了，中国怎样了

在2021年的一次讲话中，ASML的首席执行官曾预见到，如果中国无法从外部获得先进的光刻机，那么中国可能在三年内自行研发出相应技术。同样，中国经济学家林毅夫亦预测，最迟到2023年，中国将有能力生产出自己的极紫外（EUV）光刻机。这将对ASML的市场地位构成威胁，可能迫使该公司重新考虑其战略布局。

在回顾这些预测的现在，我们可以看到中国在光刻技术上的进步。例如，华为的Mate 60手机采用了7纳米工艺，而其Pure70系列接近5纳米工艺，接下来的Mate 70有望实现3纳米工艺。这些进展表明，尽管具体的代工厂商未公开，华为的技术进步依然显著。

目前全球只有ASML能够生产用于10纳米及以下先进制程的EUV光刻机。面对严峻的外部挑战，尤其是在美国的出口限制下，中国加紧了自主光刻技术的研发。例如，上海微电子已经能够量产90纳米级别的光刻机，并正在开发14纳米乃至7纳米工艺。尽管与ASML的先进技术存在差距，上海微电子的进展标志着中国在满足国内需求方面取得了重要进步。

从市场份额来看，ASML、日本尼康和佳能等公司主导了全球高端光刻机市场。ASML占据了63%的市场份额，佳能占32%，而尼康则占5%。相比之下，上海微电子在全球市场的份额较小，但这并未阻止其在技术上追赶。